Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд Рабе К.М.

Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд Название: Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд Рабе К.М.
Формат книги: fb2, txt, epub, pdf
Размер: 9.8 mb
Скачано: 1489 раз





Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд
Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд [Элек- тронный ресурс] / под ред. К. М. Рабе, Ч. Г. Ана,. Ж.-М. Трискона ; пер. с англ.—3-е изд. (эл.).

Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд Рабе К.М.

Следствием введения дополнительного фотопреобразующего слоя является повышение эффективности преобразования солнечного излучения за счет повышения значений встроенных полей, связанных с увеличенными размерами кристаллитов и однородностью стехиометрического состава по толщине фотопреобразующих слоев. В ходе работы над докладом и рефератом по этой дисциплине, были исследованы вопросы истории развития сегнетоэлектричества и областей применения сегнетоэлектрических приборов, обобщенные в данной статье. Титанат бария сохраняет поляризацию до 120 градусов, его можно было получать в виде керамики, спекая исходные материалы.

Нелинейные оптические свойства сэ, такие как электрооптический эффект (изменение показателя преломления под действием электрического поля), генерация второй и третьей гармоник, оптическое детектирование (появление статической поляризации диэлектрика под действием электрического поля лазерного луча), эффект образования суммарных и разностных частот, фоторефрактивный эффект (локальное изменение показателя преломления при облучении интенсивным светом), и т. По ряду параметров разрабатываемые устройства являются конкурентоспособными по сравнению с традиционными устройствами на основе полупроводниковых и ферритовых материалов. Впервые пьезоэффект стали использовать в годы первой мировой войны  французский физик п.

Введем обозначения толщина первого слоя частицы отрицательная, то теорема единственности электростатики не выполняется. Тайбелла 3, в которой было показано, что пленки цирконата-титаната свинца (цтс) сохраняют переключаемую поляризацию перпендикулярную пленке до толщин в несколько нанометров. .

Данная статья является частью научно-исследовательской работы, выполненной по плану обучения в магистратуре спбгэту лэти в рамках дисциплины история и методология электроники. Сегнетоэлектрики (сэ)  вещества, кристаллическая структура которых допускает существование в некотором диапазоне температур и давлений спонтанной электрической поляризации (отличного от нуля результирующего дипольного момента единицы объема образца), модуль и пространственная ориентация которых могут быть изменены под действием внешнего электрического поля 1. Так, переключение вектора спонтанной поляризации внешним электрическим полем используется для создания энергонезависимых зу высокая диэлектрическая проницаемость  для конденсаторных элементов запоминающих устройств с произвольной выборкой, свч интегральных микросхем, а в перспективе и подзатворных диэлектриков имс пироэлектрическая активность  для создания неохлаждаемых матричных приемников ик-излучения электромеханические свойства сэ служат основой нового направления  сегнетоэлектрических микроэлектромеханических систем.

В 1880 году пьер и жак кюри заметили, что при деформации пластинок некоторых кристаллов, вырезанных под определенными углами, на их поверхности появляются электрические заряды. Немаловажным фактором является простота конструкции и возможность использования интегральной технологии сегнетоэлектрических устройств. Для различных применений сэ пленок наиболее часто используются следующие методы магнетронное напыление, лазерная абляция, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений, золь-гель процесс 58.

Очевидно, что физические свойства пленки существенно зависят от состояния ее поверхности, стехиометрии, кристалличности, плотности, микроструктуры и кристаллографической ориентации, то есть, в свою очередь, от методов получения пленки. Условия образования гетерофазных сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе, подходящих для данных применений, изучались в работах 17, 18. Свойство сегнетоэлектрических материалов изменять величину диэлектрической проницаемости под действием электрического поля в 1,5. Термин сэ происходит от сегнетовой соли, полученной в 1672 году французским аптекарем пьером де ла сегнетом. Полезная модель 19 описывает добавление в солнечный элемент дополнительного фотопреобразующего слоя из сегнетоэлектрического материала.


Глава 1 Введение в физику сегнетоэлектриков и пьезоэлектри ...


Физика сегнетоэлектрических материалов ............................. 31 ..... Применение устройств на основе пьезокерамики в современных и будущих ..... ность электрического поля 1 В/м создает электрическое смещение 1 Кл/ м2. Понятие ...

Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд Рабе К.М.

Развитие и области применения сегнетоэлектрических ...
18 апр 2015 ... Использование сегнетоэлектрических тонких пленок позволяет улучшить ... Тушкевич, В. М. Физика: Проблемы. История. Люди: Сб. статей ... Рабе, К. М. Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд/ под ред.
Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд Рабе К.М. К. К. История. Г. 18 апр 2015. Г. ). , Анна Ч. Широкое использование сэ в микроэлектронике обусловлено их уникальными физическими свойствами 9. , . Согласно этой теории, в таких кристаллах ионы колеблются с частотой, заметно меньшей, чем в обычном твердом теле (лучше говорить о частоте волн и фононах, соответствующий тип колебаний называется мягкой модой). Ж. Понятие . Введем обозначения толщина первого слоя частицы отрицательная, то теорема единственности электростатики не выполняется. Впервые пьезоэффект стали использовать в годы первой мировой войны  французский физик п. Консультанты. Рабе, К. вания гистерезиса поляризации сегнетоэлектрических материалов; специ-.
  • Измерение гистерезиса поляризации твёрдого раствора ...


    Таким образом, заявляемый солнечный элемент позволяет повысить эффективность преобразования солнечного излучения. Данная статья является частью научно-исследовательской работы, выполненной по плану обучения в магистратуре спбгэту лэти в рамках дисциплины история и методология электроники. Проблема усложняется также необходимостью высокотемпературного нагрева (600800с) для кристаллизации пленок, при наличии в их составе химически активных и летучих компонентов (например, свинца). Рассмотренные выше сферы применения сэ показывают перспективные направления для их применений и исследований в различных областях науки и техники. Использование сегнетоэлектрических тонких пленок позволяет улучшить такие характеристики приборов, как быстродействие, рабочая мощность, снизить свч-потери и мощность управления.

    Свойство сегнетоэлектрических материалов изменять величину диэлектрической проницаемости под действием электрического поля в 1,5. В конструкцию датчика газового анализа включен дополнительный электрод с расположенной на нем сэ пленкой. Термин сэ происходит от сегнетовой соли, полученной в 1672 году французским аптекарем пьером де ла сегнетом. Высокая остаточная поляризация, низкое коэрцитивное поле, большое число циклов переключения высокая диэлектрическая проницаемость, низкие диэлектрические потери, термостабильность в настоящее время в спбгэту лэти ведутся активные исследования по методам получения, теоретического описания, практического применения сегнетоэлектрических материалов, например -        для свч-систем телекоммуникации и локации 11,12. Сегнетоэлектрики (сэ)  вещества, кристаллическая структура которых допускает существование в некотором диапазоне температур и давлений спонтанной электрической поляризации (отличного от нуля результирующего дипольного момента единицы объема образца), модуль и пространственная ориентация которых могут быть изменены под действием внешнего электрического поля 1.

    Некоторые этапы развития физики сегнетоэлектричества, определившие их техническую реализацию в виде интегрированных сегнетоэлектрических устройств открытие сегнетоэлектрических свойств у сегнетовой соли (тетрагидрат тартрата калия-натрия, nakc концепция мягкой моды (построение теории в рамках динамической кристаллической решетки) подавление сегнетоэлектричества связано с электрическими и механическими граничными условиями в настоящее время в технологии широко применяются тонкие сегнетоэлектрические пленки материалов 4. Немаловажным фактором является простота конструкции и возможность использования интегральной технологии сегнетоэлектрических устройств. Для различных применений сэ пленок наиболее часто используются следующие методы магнетронное напыление, лазерная абляция, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений, золь-гель процесс 58. Нелинейные оптические свойства сэ, такие как электрооптический эффект (изменение показателя преломления под действием электрического поля), генерация второй и третьей гармоник, оптическое детектирование (появление статической поляризации диэлектрика под действием электрического поля лазерного луча), эффект образования суммарных и разностных частот, фоторефрактивный эффект (локальное изменение показателя преломления при облучении интенсивным светом), и т. Впервые пьезоэффект стали использовать в годы первой мировой войны  французский физик п. Курчатов, феноменологическая теория сегнетоэлектричества, химический состав, солнечное излучение, произвольная выборка, диэлектрическая проницаемость, вид использования. В работе 13 показана возможность использования тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур в качестве энергонезависимых датчиков излучения в видимом диапазоне спектра, а также продемонстрирован метод считывания информации из сегнетоэлектрической ячейки памяти по величине и направлению фототока 1416. Очевидно, что физические свойства пленки существенно зависят от состояния ее поверхности, стехиометрии, кристалличности, плотности, микроструктуры и кристаллографической ориентации, то есть, в свою очередь, от методов получения пленки. Так, переключение вектора спонтанной поляризации внешним электрическим полем используется для создания энергонезависимых зу высокая диэлектрическая проницаемость  для конденсаторных элементов запоминающих устройств с произвольной выборкой, свч интегральных микросхем, а в перспективе и подзатворных диэлектриков имс пироэлектрическая активность  для создания неохлаждаемых матричных приемников ик-излучения электромеханические свойства сэ служат основой нового направления  сегнетоэлектрических микроэлектромеханических систем. По ряду параметров разрабатываемые устройства являются конкурентоспособными по сравнению с традиционными устройствами на основе полупроводниковых и ферритовых материалов.

    м.н. Семенов А.А. (Уч. степень, уч. звание) подпись. Консультанты ... вания гистерезиса поляризации сегнетоэлектрических материалов; специ- ...... Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана ,.

    разработка технологических основ создания ... - hub.sfedu.ru

    Основные свойства сегнетоэлектрических материалов системы ...... 59. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд // под ред. Рабе. К.М., Анна Ч .Г., ...
  • Барчан. Комбинаторика. Логика (5-7 лет).
  • Справочник шеф-повара. 8-е изд.
  • УЧЕБНИК СОЦИАЛЬНАЯ МЕДИЦИНА МАРТЫНЕНКО
  • Огнестрельные ранения лица, ЛОР-органов и шеи Швырков М.Б
  • Физика среды Соловьев А.К.
  • Физика твердого тела. Сборник задач с подробными решениями
  • Физика Трофимова Т.И.
  • Физика Турчина Н.В.
  • MENU
    NEW
    [dcufut]